JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Renesas fortsätter att utveckla Intersils portfölj av strålningshärdiga kretsar. Nu släpper företaget effekttransistorer i GaN som påstås ha tio gånger bättre prestanda än MOSFET:ar i kisel, trots att storleken är halverad. Även en drivkrets ingår i lanseringen.

De två effekttransistorerna är ISL7023SEH, som hanterar 100 V och 60 A, samt ISL70024SEH som hanterar 200 V och 7,5 A.

GaN tillåter högre switchfrekvens än kisel, vilket krymper storleken på kretsarna. Dessutom påstås GaN-transistorerna ha minskade parasiter och lägre switchförluster än kiselalternativ, vilket minskar kravet på kylfläns.

De två egenskaperna i kombination med att kretsarna är strålningshärdiga gör dem som klippta och skurna för DC/DC-omvandlare i bärraketer, satelliter och borrhål, menar Rensas.

Nykomlingen ISL70040SEH, också tillverkad i GaN, är specialutvecklad för att driva transistorerna.
Kretsarna klarar militärt temperaturområde och finns att få i två strålningshärdiga versioner, en högdosversioner (100 krad) och lågdosversioner (75 krad).

 

MER LÄSNING:
 
magasinet

235
elektronik­konsulter

Registrera ditt företag nu!
 
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik
Anne-Charlotte
Sparrvik
+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)